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IBM avance vers la fabrication d’un transistor en arséniure d’indium-gallium

Image 1 : IBM avance vers la fabrication d'un transistor en arséniure d'indium-galliumFabrication du canal en arséniure d’indium-galliumDes chercheurs du laboratoire suisse d’IBM et du site de New York ont développé une méthode de fabrication qui permet de créer une structure en arséniure d’indium-gallium sur une couche de silicium tout en utilisant des outils lithographiques classiques déjà présents dans les usines. Le papier publié sur Applied Physics Letters est un pas notable pour la recherche qui estime que ce genre de transistors pourrait être l’une des façons de dépasser les limites des transistors classiques en silicium. Ce n’est pas la première fois que des chercheurs montrent ce genre de transistors (cf. « Les transistors InGaAs sauveront-ils la loi de Moore ? »), mais leur fabrication demande d’habitude des outils lithographiques encore rares.

Le papier d’IBM montre qu’il est possible de fabriquer un canal entre la source et le drain en arséniure d’indium-gallium. Les chercheurs ont d’abord fabriqué un transistor en silicium, puis ils ont retiré le canal, causant un creux. Ils ont ensuite fait croître l’arséniure d’indium-gallium en remplissant la crevasse laissée par la procédure précédente pour créer un canal de 55 nm de largeur, 23 nm d’épaisseur et 390 nm de longueur. Les électrons avaient une mobilité de 5 400 cm2 V–1 s–1 au sein de la nouvelle structure qui a la particularité de ne pas contenir de défauts endommageant ses propriétés et de pouvoir être fabriquée avec des outils déjà présents dans les usines. La prochaine étape est de pouvoir maintenant fabriquer une plus grande structure et à terme remplacer le silicium complètement.