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IBM travaille sur de la PRAM MLC

Image 1 : IBM travaille sur de la PRAM MLCLa PRAM, ou mémoire à changement de phase, fait partie des meilleures candidates à la succession de l’actuelle mémoire flash. Non-volatile comme la NAND, ce type de mémoire s’approche des performances de la DRAM.

Remplacer la flash NAND

De nombreux constructeurs travaillent donc activement à son développement et à la résolution des différents problèmes que rencontrent encore les chercheurs (courant important nécessaire à une écriture, sensibilité à la chaleur ou encore augmentation du bruit électronique). Les premières puces de PRAM ont même déjà fait leur apparition sur le marché, même si les capacités sont encore faibles comparées aux puces de mémoire flash NAND actuellement disponibles.

IBM semble pourtant confiant, et vient même d’annoncer la mise au point de puces de PRAM MLC (multi-level cell), alors que jusqu’à présent la mémoire à changement de phase était limitée au SLC. En pratique, la puce de test d’IBM est gravée en 90 nm CMOS. Elle affiche une latence d’écriture de 10 microsecondes, un temps 100 fois inférieur aux meilleures mémoires flash actuelles. La résistance de ce type de mémoire est également impressionnante, avec 10 millions de cycles d’écritures supportés (contre seulement 3 000 environ pour de la mémoire flash NAND gravée en 25 nm).

Ces résultats sont donc plutôt encourageants, mais il reste encore pas mal de chemin à parcourir : la PRAM MLC ne devrait pas être en mesure de remplacer la flash NAND avant 4 ou 5 ans…