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IDF : Intel produit de la mémoire à changement de phase

La PRAM, mémoire à changement de phase pourrait bien prendre la relève de la Flash d’ici quelques années. Intel s’y intéresse et s’apprête produire en masse ses premières puces de 16 Mo de PRAM. Baptisée Alverstone, cette puce est gravée en 90 nm, et viendra concurrencer les puces de Flash NOR actuelles.

La PRAM est une mémoire de type non-volatile, qui exploite les propriétés électriques d’un matériau spécifique, un verre chalcogènide. Elle a principal avantage une vitesse d’écriture bien plus élevée que la NOR, une durée de vie plus grande et un processus de fabrication plus simple. Justin Rattner, directeur technologique d’Intel, parle ainsi de 6 fois la vitesse de la NOR et d’une durée de vie d’un million de cycles au moins. Son inconvénient majeur aujourd’hui est sa densité relativement faible. Mais Intel pense pouvoir l’augmenter rapidement, une fois que le processus de fabrication sera rôdé.

La PRAM n’est pas la seule candidate au remplacement de la Flash et de la DRAM. Elle devra s’imposer contre le FeRAM, la NRAM etc., mémoires que nous vous présentions en détail dans notre dossier “Retour sur le futur des mémoires”.