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Intel adopterait les transistors InGaAs dès le 10 nm

Image 1 : Intel adopterait les transistors InGaAs dès le 10 nmSchéma d’un transistor FinFET à canal en InGaAs (Intel à l’IEDM 2011, via RealWorldTech)La loi de Moore vient de fêter ses cinquante ans et Intel lui en donne encore 10 à vivre, mais cela ne veut pas dire que les prochaines étapes dans la miniaturisation des transistors se feront sans peine. Bien au contraire, les 10 nm, 7 nm et 5 nm imposeront des changements de grande ampleur dans la fabrication des puces. La première serait l’adoption, dès le 10 nm de nouveaux alliages semi-conducteurs.

Ces transistors abandonneraient le silicium pour de l’arséniure de Galium-Indium (InGaAs), un semiconducteur de type III-V étudié depuis de longues années. Par rapport au silicium ce type de matériau offre l’avantage d’une plus grande mobilité électronique, ce qui permet de faire fonctionner les transistors à une plus grande fréquence.

Selon les prédictions de l’analyste David Kanter, Intel sera le premier fondeur à adopter l’InGaAs sur des transistors FinFET, et ce dès le 10 nm ; les autres fondeurs attendraient le 7 nm. En février, à l’occasion de l’ISSCC, Intel avait abordé le sujet des nouveaux matériaux et de l’InGaAs mais semblait plutôt le prévoir pour le noeud suivant, le 7 nm. En tout état de cause, nous ne devrions pas pouvoir en découvrir les bénéfices avant l’année prochaine – au mieux – sur les processeurs CannonLake.