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Intel annonce de la mémoire flash en 20 nm

Image 1 : Intel annonce de la mémoire flash en 20 nm

Intel et Micron (la coentreprise IMFT) viennent d’annoncer une nouvelle génération de mémoire flash, gravée en 20 nm au lieu des 25 nm utilisés actuellement. Prévue avec une capacité de 8 Go par puce, la mémoire de type MLC permet de réduire de 30 à 40 % la taille de la puce par rapport à une mémoire gravée en 25 nm. IMFT annonce une endurance et des performances similaires à celles des puces en 25 nm, ce qui est un bon point.

La cible n’est pas — pour une fois — le monde des SSD mais bien celui de la mobilité. Smartphones, tablettes, cartes mémoire et autres ultraportables ont besoin de plus en plus d’espace de stockage dans un espace de plus en plus restreint, pour augmenter la capacité des batteries. Avec 118 mm², la mémoire en 20 nm est parfaite pour ce type d’usage.

La mémoire devrait entrer en production de masse durant le second semestre et IMFT espère arriver à produire des puces de 16 Go assez rapidement. Espérons qu’OCZ et les autres constructeurs de SSD penseront à nous prévenir quand ils utiliseront cette mémoire…