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Intel repousse les wafers de 450 mm à 2023

Image 1 : Intel repousse les wafers de 450 mm à 2023Wafer de 450 mmIntel a annoncé lors de la SPIE Advanced Technology Conference qu’il repoussait l’utilisation des wafers de 450 mm à 2023 et vu qu’il est l’un des fervents défenseurs de cette technologie, le reste de l’industrie devrait lui emboiter le pas, selon SemiWiki. Les équipementiers auraient déjà décidé de retarder le développement des machines compatibles avec ces wafers en réponse à cette annonce.

La raison derrière la décision d’Intel serait le faible taux d’utilisation de certaines de ses usines, ce qui l’a déjà obligé à retarder l’ouverture de la Fab 42. La firme passe par une période difficile et elle a de plus en plus de mal à justifier ce genre d’investissement.

L’EUV serait une nouvelle fois repoussé

L’autre retard anticipé lors de cette conférence est celui de la gravure aux ultra-violets extrêmes (EUV). TSMC a commencé à tester ces machines depuis 2011 (cf. « La lithographie EUV chez TSMC en 2011 »). On l’attendait au départ pour le 20 nm, mais il fut repoussé une première fois au 10 nm (cf. « Le 10 nm d’Intel aura-t-il l’EUV ? »). La raison était qu’en dessous de 10 nm, la lithographie par immersion était censée atteindre ses limites.

Les choses ont aujourd’hui changé. TSMC s’est d’abord plaint du manque de stabilité des machines EUV. Les scanners ont des temps de fonctionnement encore trop courts, ils sont peu fiables et ils demandent beaucoup d’énergie. Il se pourrait aussi que la lithographie classique arrive à graver en 7 nm à l’aide du multiple motifs et d’autres technologies prometteuses. On avance aussi vers les structures 3D qui permettent de mettre plus de transistors sur une puce sans avoir à agrandir sa finesse de gravure.