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Intel voit après le 10 nm

Image 1 : Intel voit après le 10 nm

Comme de coutume, Intel a pris part à l’édition 2015 de l’International Solid-State Conference (ISSCC) et y a parlé du futur. Le leader des processeurs a notamment discuté des problèmes qu’il a rencontrés pendant la mise au point de la gravure en 14 nm et des deux prochains « noeuds » : le 10 nm puis le 7 nm. 

Selon Intel, le retard de ses processeurs 14 nm est dû à une complexité imprévue des étapes de masquages et à un plus grand besoin de tests au cours de la fabrication. Le fondeur a donc dû adapter ses processus et dédier plus de ressources à la validation des wafers après chaque étape de la gravure. Ces optimisations ont eu un impact négatif sur le 14 nm, mais Intel estime qu’elles lui feront gagner du temps pour le 10 nm. La mise au point des puces en 10 nm devrait être 50 % plus rapide que celles en 14 nm. De plus, les optimisations du processus de fabrication devraient permettre de faire baisser le coût par transistor, malgré l’augmentation du nombre d’étapes de masquages exigées par le 10 nm. Intel parviendrait ainsi à éviter le recours à des techniques de gravure très onéreuses, comme la lithographie dans l’extrême ultraviolet (EUV).

Le noeud 7 nm sera nettement plus difficile à atteindre. Intel envisage de nouvelles solutions techniques comme l’intégration de semi-conducteur III-V en remplacement du silicium. Et pour augmenter la densité des puces même dans l’éventualité où Intel échoue à augmenter la finesse de gravure, le fondeur travaille sur des méthodes alternatives : les puces 2,5 D où plusieurs dies sont connectés via un intercalaire en silicium et les puces 3D, où plusieurs dies sont empilés les uns sur les autres.

En 2008, alors qu’il produisait encore des Core 2 et se préparait à lancer les premiers Core i7 Nehalem en 45 nm, Intel se donnait 10 ans pour descendre en 10 nm. Sauf accident de dernière minute, cette prédiction devrait se réaliser.