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La RRAM 3D pourrait transformer le monde des mémoires

Image 1 : La RRAM 3D pourrait transformer le monde des mémoiresLa RRAM 3D de CrossbarCrossbar vient d’annoncer une RRAM en 3D, c’est-à-dire qu’il est capable d’empiler 16 modules les uns sur les autres pour accroître la capacité de la puce. La firme vise à long terme une puce mémoire de 1 To. En attendant, il a annoncé que sa puce pouvait être fabriquée en utilisant les processus de fabrication actuels. Les premiers exemplaires devraient arriver en 2016 et les premiers modèles en 3D devraient faire leur apparition un an plus tard. La ReRAM n’est pas nouvelle, mais pour la première fois, elle semble pouvoir être une réalité commerciale.

La société travaille dessus depuis quelques années (cf. « Crossbar veut vendre de la ReRAM à grande échelle »). Sa première grosse réussite fut une architecture permettant à un transistor de contrôler 2 000 cellules mémoires. Pour mémoire, la RRAM ou Resistive Random Access Memory utilise la résistance électrique des cellules pour stocker une valeur binaire. En utilisant un seul transistor pour 2 000 cellules, Crossbar arrive à réduire les courants de fuite et abaisser le temps de latence à 50 nanosecondes, alors qu’il est de plusieurs microsecondes sur une NAND. Sa RRAM tolère aussi en théorie des millions de cycles de programmation/écrasement, même si aujourd’hui les architectures se limitent à environ 100 000 cycles. À long terme, Crossbard affirme qu’il sera possible de fabriquer des modules en 4 nm, ce qui en fait un excellent remplaçant de la NAND.