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L’azote et le bore nous rapprochent des transistors en graphène

Image 1 : L'azote et le bore nous rapprochent des transistors en graphèneLe bore et l’azote dans une couche de graphène

Des chercheurs de l‘Université nationale de science et de technologie d’Ulsan en Corée du Sud ont publié un papier montrant qu’en ajoutant du bore et de l’azote, il était possible de créer des transistors en graphène à grande échelle. Les performances des transistors sont encore trop faibles pour parler de commercialisation, mais leur papier est important.

Une nouvelle méthode de fabrication qui facilite la production de transistors en graphène

L’idée de doper du graphène avec du bore n’est pas nouvelle. Le graphène a une bande interdite très limitée. Concrètement, cela veut dire que c’est un excellent conducteur, mais un mauvais semiconducteur, car il est difficile de bloquer le passage de l’électricité. Pour pallier ce problème, les scientifiques utilisent du bore (cf. « Des transistors en graphène et nitrure de bore hexagonal »).

Comme l’explique le communiqué de l’université, les atomes de bores sont nettement plus grand que les atomes de carbones, ce qui complique le processus de dopage. Pour faciliter la fabrication de transistors en graphène, les chercheurs coréens ont utilisé des atomes d’azote, plus petit que les atomes de bore. En combinant deux atomes d’azotes avec deux atomes de bore, il est possible de pénétrer la structure en carbone plus facilement et obtenir ainsi un transistor plus performant et plus pratique à fabriquer.