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Le 10 nm de Samsung serait en retard sur celui de TSMC

Image 1 : Le 10 nm de Samsung serait en retard sur celui de TSMCLe wafer gravé en 10 nm par SamsungSelon Business Korea, TSMC serait en avance sur son 10 nm et il devrait commencer les dernières phases de test au cours du deuxième trimestre 2016 avant une production en masse. Samsung parle de son côté d’une production en masse qui commencerait seulement à la fin 2016 (cf. « Samsung montre son 1er wafer en 10 nm »), ce qui signifie que le Coréen aurait entre un à deux trimestres de retard, ce qui pourrait être très dommageable si cela signifie que de gros acteurs, tels qu’Apple décide de vite passer à cette nouvelle finesse de gravure. L’écart entre les deux est néanmoins suffisamment petit pour qu’un problème de fabrication sur les chaînes de TSMC renverse cette tendance.

Le 10 nm s’annonce être une finesse importante qui devrait avoir des conséquences importantes sur l’industrie. Samsung en parle depuis 2012 (cf. « Samsung présente une mémoire Flash en 10 nm ») et il a montré son premier wafer en mai dernier (cf. « Samsung montre son 1er wafer en 10 nm »). TSMC a quant à lui expliqué qu’il était en avance (cf. « TSMC : le 10nm finalement plus tôt que prévu ») grâce à la reconversion de sa Fab 15 qui sortira des wafers de 10 nm de 12 pouces. Intel aurait des problèmes avec son 10 nm, mais les premiers processeurs seraient tout de même commercialisés avant ceux de Samsung ou TSMC (cf. « Les Cannon Lake d’Intel en 10 nm arriveraient en 2016 ») avec une livraison aux OEM en début d’année prochaine. Ils succèderont aux Skylake qui sont gravés en 14 nm.