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Les modules de 4 Gb de DDR3 atteignent le 20 nm

Image 1 : Les modules de 4 Gb de DDR3 atteignent le 20 nmLe module DDR3 4 Gb à 20 nm de Samsung

Samsung vient d’annoncer avoir commencé la production en masse de ses modules de DDR3 d’une capacité de 4 Gb et d’une finesse de gravure de 20 nm. La firme explique que la DRAM est plus difficile à miniaturiser que la Flash. Les cellules de cette dernière n’utilisent qu’un transistor tandis que la DRAM utilise un transistor et un condensateur, ce qui complexifie l’architecture. Il a néanmoins réussi à passer au 20 nm en utilisant le double motif.

En quatre ans, la firme a doublé la capacité du module et a accru la finesse de gravure de 10 nm (cf. « Samsung : 2Gb de DDR3 en 30nm »). Il se penche maintenant sur le 10 nm et la DDR4. On imagine que cette finesse de gravure va être cruciale pour la démocratisation des barrettes de 16 Go qui utiliseront des puces de 8 Gb.