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Les transistors FinFET en 14 nm chez TSMC, c’est pour 2014

Image 1 : Les transistors FinFET en 14 nm chez TSMC, c'est pour 2014Un transistor 3D (FinFET)

TSMC a annoncé qu’il allait commencer la production en masse de transistors en 3D (FinFET) gravés en 16 nm d’ici la fin de l’année, tandis qu’il devrait accroître le nombre de chaînes de production fabricant en 20 nm en attendant.

TSMC est en avance

Le fondeur a expliqué que ses prototypes en 16 nm sont meilleurs que prévu, ce qui devrait accélérer la production en masse de ces transistors. Pour mémoire, Intel fut le premier à les produire en masse (cf. « Tri-Gate : Intel invente le transistor 3D ») et les commercialiser (cf. « Test Ivy Bridge Intel Core i7–3770K : un bon cru ? »), ce qui fut un succès important pour la société (cf. « Les tops de 2012 »). On s’attendait à ce que TSMC puisse en produire à grande échelle dans un an (cf. « Pas de transistors 3D pour TSMC avant 2015 »). Le fait qu’il soit en avance est le bienvenu. Il devrait commencer par graver des puces ARM (cf. « Un prototype d’ARM Cortex A57 gravé en 16 nm FinFET »).