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MBCFET : Samsung grave un nouveau type de transistor bien plus efficace, en 3 nm !

Et annonce du FinFET gravé en 4 nm !

Image 1 : MBCFET : Samsung grave un nouveau type de transistor bien plus efficace, en 3 nm !

Samsung annonce avoir mis au point une nouvelle génération de transistor MBCFET, qui va permettre de pousser encore plus loin la gravure et les performances des puces. Contournant la difficulté de gravure des canaux de type nanowire (nanofil), Samsung Foundry opte pour des nanosheets (nanofeuilles), qui auront toujours l’avantage d’être entièrement entourées par la grille (Gate-All-Around, ou GAA), et dont la largeur pourra même être progressivement réduite.

Image 2 : MBCFET : Samsung grave un nouveau type de transistor bien plus efficace, en 3 nm !

Tout bénéf !

Plusieurs avantages en résultent : multiplier les canaux en hauteur en économisant de la surface, réduire les perturbations électromagnétiques, et diminuer la tension de fonctionnement sous les 0,75 V. En pratique, Samsung annonce des puces gravées en 3 nm, une consommation réduite de 50 %, une surface réduite de 45 %, ou encore des performances en hausse de 30 % par rapport au 7 nm FinFET actuel.

Image 3 : MBCFET : Samsung grave un nouveau type de transistor bien plus efficace, en 3 nm !

Gravure en FinFET 4 nm

Par la même occasion, Samsung Foundry affirme pouvoir descendre à une finesse de 4 nm en FinFET grâce aux ultraviolets extrêmes. Le développement du 4 nm sera terminé d’ici la fin de l’année. Le 6 nm entrera aussi en production massive dans la seconde moitié 2019. Le 5 nm, dont le développement fut terminé en avril dernier, entrera en production massive en 2020.