Accueil » Actualité » Mémoire LPDDR4X à seulement 0,6 V pour le Snapdragon 830

Mémoire LPDDR4X à seulement 0,6 V pour le Snapdragon 830

Le SoC Snapdragon 830 utiliserait une nouvelle RAM, de la LPDDR4X, qui demande 0,6 V, soit la moitié de la tension de la LPDDR4. Qualcomm sort l’artillerie lourde pour prendre d’assaut l’économie d’énergie.

Image 1 : Mémoire LPDDR4X à seulement 0,6 V pour le Snapdragon 830Snapdragon de Qualcomm

Une mise à jour des caractéristiques techniques de Windows 10 affirme que le système d’exploitation tourne aussi sur le processeur MSM8998, une puce Qualcomm encore non confirmée. Il s’agit sans doute du Snapdragon 830 dont les spécificités ont filtré sur le site chinois Weibo.

LPDDR4X : une tension presque deux fois inférieure à la LPDDR4

On notera la présence de LPDDR4X qui a la particularité de ne demander que 0,6 V au lieu des 1,1 V de la LPDDR4. Les rumeurs affirment que le Snapdragon 830 utiliserait 8 Go de RAM. On s’attend à ce que cette puce soit dévoilée d’ici la fin de l’année pour des produits commercialisés en 2017. Pour mémoire, Mediatek fut le premier à utiliser la LPDDR4X sur son Helio P20 qui en intègre 6 Go.

Caractéristiques du Snapdragon 830 selon la fuite :
– Finesse : 10 nm
– Architecture CPU : Kyro 200 (2,2 GHz ?)
– RAM : 8 Go de LPDDR4X – Adreno 540
– Modem : X16 (980 Mbit/s descendants et 150 Mbit/s montants)
– Capteur photo/vidéo maximum : 4K x 2K à 60 ips