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Micron annonce la mémoire Flash en 16 nm

Image 1 : Micron annonce la mémoire Flash en 16 nm

Micron vient de passer un nouveau cap dans la production de mémoire Flash. L’américain dit avoir débuté la production de Flash gravée en 16 nm, soit non seulement la mémoire Flash la plus fine de l’industrie, mais aussi la finesse la plus grande pour un semiconducteur produit à grande échelle.

Pas question toutefois d’attendre cette mémoire pour changer son SSD : les premiers SSD Micron l’utilisant (les Crucial M600 ?) ne devraient arriver en boutique que l’année prochaine. Micron indique en être au stade de la livraison d’échantillons à ses clients pour test et intégration dans leurs futurs produits. La fabrication de masse est prévue pour débuter au quatrième trimestre de cette année.

Remarquons que contrairement au passage en 20 nm, le passage en 16 nm ne permet pas à Micron d’introduire des puces de plus forte capacité. Avec le 20 nm, Micron avait pu lancer des puces de 128 Gbit, doublant ainsi la capacité maximale disponible avec les gravures précédentes. Le 16 nm permet d’augmenter la densité des puces (à capacité égale, elles occupent une surface inférieure).