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Micron : de la RLDRAM de 3ème génération

Image 1 : Micron : de la RLDRAM de 3ème génération

Selon certaines sources, Micron serait en train de travailler sur sa troisième génération de puces de mémoire RLDRAM (Reduced Latency DRAM), un type de mémoire DRAM à faible latence.

Disponible dans des capacités de 512 Mb et 1 Gb, ces puces fonctionnent avec une tension de 1,2V ou 1,35V. Elles sont capables d’atteindre des débits de l’ordre de 2133 Mbps et affichent un temps de latence Trc (Row Cycle Time) inférieur à 10 ns. Les premiers exemplaires de cette RLDRAM de troisième génération sont attendus pour la première moitié de l’année prochaine. La production de masse de ce type de puces viendra ensuite.