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NAND 3D mobile de Micron : 32 couches, 32 Go, cache en LPDDR4X

La première NAND 3D de Micron devrait intégrer les smartphones de 2017. Disposant de 32 couches et d’un cache en LPDDR4X, elle améliore les performances et l’autonomie.

Image 1 : NAND 3D mobile de Micron : 32 couches, 32 Go, cache en LPDDR4XLa 3D NAND mobile de MicronMicron présente sa mémoire NAND 3D mobile à 32 couches d’une capacité de 32 Go. Compatible avec le standard UFS 2.1, le support de stockage atteindrait 600 Mbit/s en lecture séquentielle et 20 000 IOPS en lecture aléatoire, ce qui représente une hausse des performances de 40 % comparativement à ses anciennes NAND mobiles. L’autre grand avantage de cette puce est qu’elle n’a qu’une aire de 60,217 mm2, ce qui est 30 % plus petit qu’une NAND classique de même capacité.

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Image 2 : NAND 3D mobile de Micron : 32 couches, 32 Go, cache en LPDDR4XUn cache de LPDDR4X

La plus petite mémoire permettra non seulement de concevoir de plus petits terminaux, ou d’accroître plus facilement la capacité, elle consommera aussi moins d’électricité, améliorant en conséquence l’autonomie de l’ensemble. Le module de mémoire peut aussi inclure un cache en LPDDR4X pouvant atteindre 3 Go. Alors que la LPDDR4 demande 1,1 V, la tension de fonctionnement de seulement 0,6 V de la LPDDR4X améliore le rendement du support de stockage de 20 %, toujours selon Micron. La firme explique avoir commencé la production des premiers exemplaires de tests et parle d’une disponibilité mondiale d’ici la fin 2016.