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Nanya démarre la production de DDR3

Nanya va démarrer la production de DDR3 durant le deuxième semestre de cette année. C’est ce que vient d’indiquer la firme à ses clients lors d’une conférence. Néanmoins, selon elle, la DDR3 ne représentera pas une part conséquente de son chiffre d’affaires avant 2008, ce qui signifie que la DDR1 et surtout la DDR2 ont encore de beaux jours devant eux.

Caractéristiques de cette mémoire

Les premiers samples de DDR3 seront gravés en 90 nm, mais on prévoit une finesse de gravure de 70 nm d’ici 2008. Les avantages de cette mémoire par rapport à la précédente version sont d’abord une consommation électrique revue à la baisse puisqu’elle demandera 1,5 V contre 1,8 pour la DDR2. Elle disposera aussi d’une architecture 8-bit pre-fetch buffer et un capteur thermique sur le die. Les temps de latence CAS tourneront entre 5 et 10 contre 3 et 5 pour la DDR2. En ce qui concerne la bande passante on parle de 800 Mbits/s (DDR3-800) et 1 600 Mbits/s (DDR3-1600).

Le marché de la DDR3

Sachez néanmoins que les spécifications finales de la DDR3 sont encore en discussion et devraient être ratifiées l’année prochaine s’il n’y a pas de retard, voire début 2008.