Révolution en marche ?
Panasonic Semiconductor Solutions (PCSC) et United Microelectronics Corporation (UMC) s’allient pour préparer la production massive de ReRAM, une mémoire non-volatile annoncée révolutionnaire en termes de consommation et de rapidité. Les premiers échantillons sont prévus pour l’année 2018.
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Finesse de 40 nm
Ces circuits de ReRAM seront gravés avec une finesse de 40 nm. Actuellement PCSC produit déjà de la ReRAM en 180 nm, principalement utilisée dans le secteur médical, et la firme est première à certifier la fiabilité du processus de fabrication en 40 nm. L’objectif de la ReRAM est de remplacer la mémoire flash actuelle dans tous les périphériques, jusqu’aux cartes mémoire, avec des performances et une durée de vie décuplées. Reste à savoir si une production en 40 nm la rendra suffisamment compétitive.
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