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Pas de EUV pour les 10 nm d’Intel

Image 1 : Pas de EUV pour les 10 nm d'IntelUn scanner à ultraviolet extrême

Intel a fait savoir durant sa Global Technology Conference qui a eu lieu le 3 septembre dernier qu’il était « en retard » sur la lithographie à ultraviolet extrême et il a affirmé qu’il gravera en 10 nm en utilisant des méthodes plus classiques, selon le transcript de la conférence publié par Seeking Alpha. Il y a deux ans, Intel planifiait de l’utiliser pour son 10 nm, mais la loi des titres selon Betteridge a eu raison de nous (cf. « Le 10 nm d’Intel aura-t-il l’EUV ? »). Selon notre lecture de la roadmap d’Intel, (cf. « Le 10 nm en 2015 et le 7 nm en 2017, selon Intel ») nous pensons que le 10 nm devrait arriver sur les marchés d’ici 2016.

Les outils de production lithographique à ultraviolet extrêmes sont dans les usines depuis déjà cinq ans (cf. « Les outils de production EUV arrivent »). Comme l’explique Intel, les machines sont énormes et demandent toujours beaucoup d’énergie. Le fondeur explique que les coûts de production sont encore trop élevés pour que cette méthode lithographique soit viable. Intel assure qu’il peut graver en 10 nm avec des méthodes plus traditionnelles et pour la première fois, il a laissé sous-entendre qu’il pensait pouvoir graver en 7 nm sans avoir besoin des ultraviolets extrêmes. Cela recoupe les informations que nous vous rapportions en mars dernier et qui sortaient de la SPIE Advanced Technology Conference (cf. « Intel repousse les wafers de 450 mm à 2023 »). À l’époque, TSMC affirmait avoir repoussé la gravure à EUV et laissait entendre que le multiple motif était une solution viable pour le 7 nm. Il est aujourd’hui rejoint par Intel.