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Première photo d’un wafer en 5 nm, de nouveaux transistors GAAFinFet

par David Civera, le

On n’arrête pas le progrès.

Image 1 : Première photo d'un wafer en 5 nm, de nouveaux transistors GAAFinFetLe wafer en 5 nm d’IBM, Globalfoundries et SamsungIBM, Globalfoundries et Samsung annoncent avoir développé le processus de fabrication qui permettra de graver des transistors en 5 nm. Ils offrent ainsi la photo du premier wafer et ils présenteront leurs résultats durant un colloque qui a ouvert ses portes hier au Japon.

Une finesse symbolique

Comparativement au 10 nm, la nouvelle finesse de gravure permettrait de concevoir des puces 40 % plus performantes ou consommant 75 % d’énergie en moins. Pour arriver à leurs fins, les chercheurs ont utilisé des transistors avec grilles circulaires (GAAFinFET ou Gate All Around FinFET) apposés sur des nanofilms permettant de mieux contrôler les performances des circuits. Ces wafers en 5 nm ont été gravés avec des lasers à ultra violet extrêmes (EUV).

Image 2 : Première photo d'un wafer en 5 nm, de nouveaux transistors GAAFinFet Image 3 : Première photo d'un wafer en 5 nm, de nouveaux transistors GAAFinFetLes transistors en 5 nm

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