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Premiers SSD Intel avec NAND 3D : l’avenir est prometteur

Les SSD P3520 et P3320 utilisent de la NAND 3D pour plus de performances, de densités et une durée de vie améliorée. Si on pouvait maintenant avoir un contrôleur qui tienne la route, ce serait parfait.

Image 1 : Premiers SSD Intel avec NAND 3D : l'avenir est prometteurPerformances du P3320Intel lance aujourd’hui ses premiers SSD utilisant des NAND 3D, les DC P3520 et DC P3320. Ils utilisent un protocole NVMe pour permettre un gain plus important de performances. Ils sont destinés aux entreprises et aux systèmes grand public haut de gamme.

768 Go dans une seule puce

La NAND 3D utilisée fut conçue en partenariat avec IMFT. Il existe deux versions qui ont toutes des NAND de 32 couches. La MLC contient 256 Gbit par die et la TLC stocke 384 Gbit par die. Une puce mémoire intégrant 16 dies TLC dans son packaging peut atteindre 512 Go à elle seule, contre 768 Go pour une puce TLC. Pourtant, Intel se limite à 450 Go pour le modèle 2,5″ et à 2 To pour le modèle PCI-Express. Le géant se contente d’offrir de petites capacités car le contrôleur mémoire utilisé ne change pas : il est limité à 2 To de capacité. Ce contrôleur explique aussi pourquoi les P3320 sont bien moins performants que les DC P3500. Il faudra donc attendre un nouveau contrôleur pour profiter de tout le potentiel de cette NAND 3D. Entre temps, le P3320 sera vendu moins cher que le P3500. Intel prévient que le P3520 aura des performances plus importantes, sans toutefois donner de chiffres.

Pour mieux comprendre le fonctionnement des SSD :
La mémoire flash, comment ça fonctionne ? – Les disques SSD, la fin des disques durs
Comparatif SSD : 145 modèles testés par la rédaction de Tom’s Hardware

La NAND 3D d’Intel supérieur à la V-NAND de Samsung

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La NAND 3D d’Intel offre aussi une meilleure durée de vie, grâce à l’utilisation de transistors à grilles flottantes. Une structure traditionnelle sur les NAND en deux dimensions. Schématiquement, écrire une donnée consiste à saturer la grille flottante d’électrons pour qu’elle devienne isolante. Lire la cellule mémoire consiste seulement à voir si le courant passe ou pas au sein du transistor. Ces grilles flottantes ne sont pas surprenantes, sachant qu’Intel a perfectionné leur fabrication depuis longtemps. Le fondeur est même capable de placer le contrôleur du die sous les cellules de mémoire pour accroître les performances et la densité.

Comparativement, Samsung utilise une chambre à trois dimensions (CTF ou Charge Trap Flash) qui stocke les électrons temporairement sur un film en nitrure de silicium. Le grand désavantage est que les cellules mémoires sont plus grosses qu’un système à grille flottante et que les NAND sont empilés en biais, ce qui limite vite le nombre de cellules que l’on peut empiler.

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