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Recherche : un transistor à effet de spin fonctionnel à température ambiante

La course à la puissance bientôt relancée ?

Image 1 : Recherche : un transistor à effet de spin fonctionnel à température ambianteSchéma de la structue d’un transistor à transport de spin (image : ETNews)

Des transistors plus rapides, ne consommant presque pas d’énergie, des mémoires non volatiles ultrarapides… la spintronique est pleine de promesses. Jusqu’à maintenant toutefois, la mise en œuvre des transistors à transport de spin s’est révélée impraticable, car nécessitant des très basses températures. Heureusement, une équipe de chercheurs du Korea Institute of Science and Technology (KIST) a trouvé une technique permettant de faire fonctionner un de ces transistors à température ambiante.

Presque de la science-fiction

Le transistor en question possédait un canal formé d’un nanofil en nitrure de gallium. Le spin des électrons – c’est-à-dire leur moment angulaire intrinsèque – a ainsi pu être transporté efficacement, sans perte d’informations même sur de très grandes distances (1 µm, soit 1000 nm).

Une belle avancée vers la commercialisation de cette nouvelle race de transistors, mais aucune date de disponibilité n’est avancée !