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Retour sur le futur des mémoires

1 : Introduction 2 : FeRAM : Une réalité de fer 3 : MRAM : la mémoire qui attire 5 : IBM Millipede ou la mémoire mille pattes 6 : PRAM : la mémoire en phase avec les données 7 : Z-RAM : un bien dans un mal 8 : NRAM : ou le rêve des nanotubes de carbones 9 : Conclusion

MRAM (suite) : aimant ou pas aimant ?

On comprend donc en tout cas, pourquoi cette mémoire est non volatile. Les cellules n’ont donc pas besoin d’être rafraîchies constamment et les informations restent dans la mémoire même lorsque la mémoire n’est plus alimentée en électricité. En effet, les éléments magnétiques gardent leur orientation même en l’absence de courant.

Les chercheurs ont vite compris que pour accroître la capacité des modules de MRAM, il faut impérativement réduire la finesse de gravure. Or, la seule technique d’écriture qui semble convenir à une fabrication de masse et une augmentation de la finesse de gravure reste la Spin Transfer Switching. De plus, cette technologie permet de réduire d’un cran supplémentaire la consommation d’énergie.

L’avantage de l’aimant

Contrairement à la mémoire Flash, l’écriture ne requiert pas une élévation de la tension et la consommation en lecture d’une MRAM est à peine plus grande qu’une mémoire Flash (on a une différence proche de 0). Elle se place donc aussi comme un remplaçant potentiel de la NAND. C’est pour cela que son utilisation est grandement envisagée dans les petits appareils mobile de type baladeur MP3 ou appareil photo numérique.

En ce qui concerne la rapidité de la mémoire, IBM a montré que des données pouvaient être accédé en 2 ns. De plus, le principal avantage est le débit. Ainsi, par rapport à la NAND de Samsung, la OneNAND, la MRAM lit et écrit à 200 Mo/s contre 108 Mo/s en lecture et 9,3 Mo/s en écriture pour la OneNAND tout en demandant une tension équivalente à la puce coréenne (3,3 V). La particularité de la OneNAND est de pouvoir gérer des tensions plus basses comme du 1,8 V, chose que revendique d’autres fabricants de MRAM. Enfin, la MRAM est moins complexe à fabriquer que la mémoire Flash.

Néanmoins, ce n’est pas en remplacement de la mémoire Flash que la MRAM a trouvé sa première application. Les premières puces MRAM se tourneraient, dès leurs sorties vers les imprimantes ou les routeurs, en remplacement des puces DRAM. Certains chercheurs y voient néanmoins une application dans nos ordinateurs entre la SDRAM et le disque dur. En effet, cela permettrait d’avoir une mémoire centrale non volatile qui garderait les informations les plus importantes, afin, par exemple, de démarrer un système en un temps record.

Sortie imminente ?

Comme nous vous le relations dans notre actualité « Freescale commercialise les MRAM », la firme a annoncé qu’elle avait déjà commencé la production de masse des MRAM pour une sortie imminente sur le marché. Reste maintenant à voir si le rachat de Freescale en septembre dernier (cf. « Freescale racheté par des investisseurs ») aura un impact sur la sortie de cette mémoire.

Freescale n’est néanmoins pas le seul sur le projet et en février dernier, nous vous présentions le fruit des firmes Toshiba et NEC dans notre actualité « Toshiba et NEC pour la MRAM ». Ils mettaient surtout en avant la capacité des cellules qui passe à 2 Mo et la tension de 1,8 V. Néanmoins, force est de constater qu’aucune date précise n’est aujourd’hui mise en avant.

À titre annexe, et après cette énumération de firmes japonaises et américaines, nous pouvons pousser notre cocorico traditionnel. La France fut la terre des premiers développements industriels de la MRAM.

Sommaire :

  1. Introduction
  2. FeRAM : Une réalité de fer
  3. MRAM : la mémoire qui attire
  4. MRAM (suite) : aimant ou pas aimant ?
  5. IBM Millipede ou la mémoire mille pattes
  6. PRAM : la mémoire en phase avec les données
  7. Z-RAM : un bien dans un mal
  8. NRAM : ou le rêve des nanotubes de carbones
  9. Conclusion