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Retour sur le futur des mémoires

1 : Introduction 2 : FeRAM : Une réalité de fer 3 : MRAM : la mémoire qui attire 4 : MRAM (suite) : aimant ou pas aimant ? 5 : IBM Millipede ou la mémoire mille pattes 6 : PRAM : la mémoire en phase avec les données 7 : Z-RAM : un bien dans un mal 8 : NRAM : ou le rêve des nanotubes de carbones

Conclusion

Après ces quelques lignes, la première constatation qui nous vient à l’esprit est que finalement, le disque dur, la mémoire flash et nos barrettes de DRAM ont encore de beaux jours devant eux. La première raison à cela vient du fait que beaucoup d’argent continue d’être investi dans ces technologies et ceux qui ont dépensé leurs sous vont attendre un retour sur investissement avant de passer à autre chose.

La deuxième raison vient du fait que l’on attend toujours de voir concrètement l’apparition de ces technologies dans nos machines. Or, si beaucoup d’annonces n’ont de réalité que le papier sur lequel elles sont écrites, il est impératif de ne pas sous-estimer les progrès réalisés. On pourrait penser que l’on se trouve aujourd’hui dans un cercle vicieux : on ne veut pas investir dans ces nouvelles technologies et le manque de soutien retarde les progrès. La réalité est néanmoins toute autre. La FeRAM est déjà produite en masse, la MRAM est imminente et les premières apparitions pour les autres mémoires devraient se faire dans moins de cinq ans.

Comme toutes nouvelles technologies, ces mémoires du futur seront adoptées petit à petit et il se pourrait bien que certaines d’entre elles dominent un jour le marché. Il est néanmoins trop tôt pour faire des pronostics. Aujourd’hui ces recherches nous montrent que le monde de la mémoire avance et les limites technologiques continuent d’être repoussées.

Tableau récapitulatif
Nom Matériaux principaux Principe de stockage des données Date de commercialisation Leader
FeRAM Éléments ferroélectriques Le 1 correspond à une polarisation négative des dipôles, contre une polarisation positive pour le 0 1999 Fujitsu / Epson
MRAM Éléments ferromagnétiques Lorsque les deux éléments ont la même orientation magnétique on obtient la valeur 0 contre la valeur 1 pour des orientations opposées. Imminente ? Freescale / Toshiba / NEC
IBM Millipede Microscope à force atomique (AFM) et un substrat de silicium (sled) Un trou dans le polymère représente un 1 contre un 0 pour une surface plane 2007 IBM
PRAM Verre chalcogènide La valeur 1 est représenté par le verre dans son état amorphe tandis que l’état cristallin représente le 0 2008 Ovonyx
Z-RAM Un transistor et la technologie SOI (une couche d’oxyde entre deux couches de silicium) Les un est manifesté par la présence d’une charge positive dans la cellule, la valeur 0 étant une charge négative. Inconnue Innovative Silicon
NRAM Nanotubes de carbones suspendus au dessus de deux électrodes positionnées verticalement Lorsque les nanotubes touchent l’électrodes supérieure, cela équivaut à la valeur 1. S’il reste suspendu, cela équivaut à 0. Inconnue Nantero

Sommaire :

  1. Introduction
  2. FeRAM : Une réalité de fer
  3. MRAM : la mémoire qui attire
  4. MRAM (suite) : aimant ou pas aimant ?
  5. IBM Millipede ou la mémoire mille pattes
  6. PRAM : la mémoire en phase avec les données
  7. Z-RAM : un bien dans un mal
  8. NRAM : ou le rêve des nanotubes de carbones
  9. Conclusion