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Samsung aborde la DRAM en 18, 15 puis 10 nm

Image 1 : Samsung aborde la DRAM en 18, 15 puis 10 nm
Selon le site Digitimes qui cite les médias coréens, Samsung compte débuter la production de masse des puces de mémoire vive gravées en 18 nm (aussi appelée 1x) dès le second trimestre 2015. Grâce à une légère modification de la méthode de fabrication à double exposition, le géant coréen compte passer à la gravure en 15 nm (1y) puis 10 nm (1z) entre 2016 et 2020.

Une avance sur la concurrence

Actuellement, Samsung grave ses puces de mémoire vive avec une finesse de gravure de 20 nm qui lui a permis récemment de produire une barrette de DDR4 dotée d’une capacité totale de 128 Go (144 Go sans l’ECC). La concurrence est un peu à la traîne puisque SK Hynix passe tout juste à la gravure en 21 nm mais compte mettre en place une finesse de 18 nm dès 2016.

On en profite pour rappeler que Samsung est le grand leader du marché de la mémoire vive avec environ 45% de parts de marché contre 27% pour SK Hynix et 20% pour Micron. La baisse de la finesse de gravure devrait aider les prix de la mémoire vive à baisser davantage alors que le prix de vente à diminuer d’environ 40% en 6 mois.