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Samsung annonce des puces de 24 Go de DRAM HBM2, en empilant 12 couches

Parfait pour les gros consommateurs de mémoire haute performances comme l’intelligence artificielle.

Image 1 : Samsung annonce des puces de 24 Go de DRAM HBM2, en empilant 12 couches

Samsung est désormais capable d’empiler 12 couches de mémoire vive grâce à la technologie TSV (Through Silicon Via), tout en gardant la même épaisseur de package qu’un empilement de 8 puces (720 µm). De quoi augmenter considérablement la capacité des nouvelles mémoires vives HBM2, explique le coréen.

En effet, Samsung affirme ainsi pouvoir empiler 12 dies de 16 Gbit de mémoire vive, pour obtenir une puce de 24 Go de DRAM au final, alors que les puces actuelles en sont à 8 Gbit sur 8 couches, soit 8 Go de capacité finale.

Des connexions à travers le silicium

La technologie TSV de Samsung perce plus de 60 000 trous à travers les dies de silicium de mémoire à empiler, pour les interconnecter en 3D. Cette technique permet aussi de réduire les latences de transmission par rapport à la techno classique dite Wire Bonding. De quoi offrir une mémoire HBM2 très performante.