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Samsung : de la 3-bit MLC NAND en 30nm

Image 1 : Samsung : de la 3-bit MLC NAND en 30nm

Le constructeur Samsung vient de lancer la production de nouvelles puces de 4 Go de mémoire flash NAND. Gravées en 30 nm, ces puces sont de type MLC (Multi-Level-Cell) 3-bit. En d’autres termes, elles sont capables d’enregistrer 3 bits par cellule, contre 2 seulement pour la NAND MLC classique.

Cela ne signifie pas pour autant que ces puces MLC 3-bit vont remplacer les puces de MLC 2-bit utilisées dans les SSD : lorsque l’on augmente le nombre de bits par cellule, on diminue forcement le nombre de cycles d’écritures que celle-ci sera capable de supporter. Or c’est ce même nombre de cycles d’écriture qui détermine la durée de vie et la fiabilité d’un SSD… La NAND MLC 3-bit de Samsung devrait donc dans un premier temps être utilisée dans des cartes microSD de 8 Go, voire dans des clés USB.