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Samsung empile les puces de DRAM


Samsung vient de présenter une technologie qui va permettre de créer des barrettes de mémoire de 4 Go à un prix plus abordable qu’actuellement. La technologie permet de produire des puces de 2 gigabits (512 Mo) en empilant 4 puces de 512 mégabits de DDR2, et donc de proposer plus facilement des barrettes de mémoire de 4 Go. Des technologies de « chip stacking » existent déjà, mais Samsung propose un moyen de diminuer la taille physique et la complexité de celle-ci.

Une interconnexion à travers la puce

La technologie de Samsung est différente de celle utilisée habituellement. Samsung va mettre en oeuvre le TSV (Trough Silicon Via), une technologie qui évite de devoir laisser des espaces entre les puces empilées. Schématiquement, la technique classique consiste à relier les puces entre elles avec des fils, ce qui nécessite de les faire passer entre les puces. Samsung passe littéralement à travers la puce elle-même, un laser troue les puces verticalement, et un câblage de cuivre permet de relier les puces entre elles directement. La technique était déjà utilisée avec la mémoire NAND, mais son adaptation à la mémoire DRAM était complexe, ce qui explique son arrivée plus tardive.