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Samsung envisagerait de construire une usine de fabrication pour le 3 nm aux État-Unis

Le coût total atteindrait 17 milliards de dollars.

Les États-Unis semblent décidés à faire construire des usines de fabrication de semi-conducteurs de pointe sur leur territoire. Après avoir convaincu le fondeur taïwanais TSMC d’investir 3,5 milliards de dollars dans la construction d’une usine pour le 5 nm en novembre dernier, un autre fondeur important pourrait suivre le même chemin : Samsung.

Image 1 : Samsung envisagerait de construire une usine de fabrication pour le 3 nm aux État-Unis

Le site AnandTech rapporte que l’entreprise coréenne serait en discussion avec les autorités américaines en vue d’implanter une nouvelle usine sur le sol américain. Samsung la bâtirait près d’Austin, Texas. Montant de l’opération : 17 milliards de dollars.

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1 800 emplois à la clef

Cette usine exploiterait le 3 nm GAAFET de Samsung. Le site pourrait commencer à produire d’ici fin 2023. Il emploierait jusqu’à 1 800 personnes. Notez qu’il serait uniquement question de production et non de R&D.

Samsung possède déjà une usine aux États-Unis, la S2, consacrée aux nœuds 65-14 nm. Ses lignes sont très sollicitées et la modernisation de celles-ci n’est pour l’instant pas envisagée.

Image 2 : Samsung envisagerait de construire une usine de fabrication pour le 3 nm aux État-Unis