Dans un récent communiqué de presse, Samsung vient d’annoncer la mise au point de puces de 512 Mb (soit 64 Mo) de GDDR3 cadencées à 1 GHz. Gravées en 90 nm, ces puces, destinées au marché des cartes graphiques, où le besoin en bande passante mémoire ne cesse d'augmenter, atteignent un débit record de 2 Gbits par seconde et par pin, soit une bande passante maximale de 8 Go/s.
Pour rappel, la mémoire GDDR3 offre les avantages suivant par rapport à la GDDR :
- Tension d'alimentation qui passe de 2.5 V à 1.8 V
- Driver de contrôle dynamique de l'impédance de sortie (meilleure intégrité du signal)
- Terminateur de signal intégré dans la puce (meilleure intégrité du signal, en éliminant des variations de tension et de température potentielles – sa valeur s'adapte à l'impédance du driver)
- Prefetch sur 4 bits (4 bits de données sont envoyés tous les deux cycles d'horloge, permettant d'atteindre des débits très élevés)
- bus de donnée unidirectionnel (pas de coûteux retournement de bus nécessaire pour passer du mode lecture en mode écriture)
Ces avantages permettent d'atteindre des fréquences de fonctionnement plus élevées, une meilleure intégrité du signal, et une consommation réduite, ce qui la rend particulièrement attrayante pour équiper les cartes graphiques intégrées dans les ordinateurs portables.
La production de masse de ces puces à 1 GHz n’est toutefois pas encore d’actualité, ce qui est par contre le cas des puces de 512 Mb GDDR3 1.6 Gbps (6.4 Go/s) dont le fabriquant vient de lancer la production près de 6 mois après leur annonce.
Et c’est justement sur ce point qu’il convient de faire attention : entre annonce et disponibilité, beaucoup de temps il faut compter.
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