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Samsung lance sa deuxième génération de mémoire LPDDR4X

Moins de consommation, même vitesse

Image 1 : Samsung lance sa deuxième génération de mémoire LPDDR4X

Samsung lance la production en masse de sa deuxième génération de mémoire de LPDDR4X gravée en moins de 20 nm (10 nm class). Destinée aux smartphones hauts de gamme, elle embarque une densité de 16 gigabits et permet de réduire la consommation énergétique tout en gardant la bande passante de la première génération à 4,266 mégabits/s. L’entreprise s’attend à ce que cette nouvelle RAM soit utilisée dans les téléphones portables dès fin 2018 ou début 2019.

Pour des smartphones plus fins

Image 2 : Samsung lance sa deuxième génération de mémoire LPDDR4XSamsung a combiné quatre puces de la nouvelle LPDDR4X (1y-nm, apparemment 15 nm) pour créer des modules de mémoire de 8 Go. L’entreprise dit de ces derniers qu’ils peuvent atteindre une bande passante de 34,1 Go / s et qu’ils affichent une épaisseur réduite de 20 % comparée à la première génération. Ils pourront donc être accueillis dans des smartphones encore plus fins, et devraient permettre de drainer moins vite la batterie. Notez que le géant coréen dit avoir ouvert une nouvelle ligne, à Pyeongtaek, spécialement dédiée à la DRAM mobile et prévoit d’augmenter sa production de 70%.