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Samsung lance sa production massive de MRAM gravée en 28 nm

Une mémoire très attendue par tous les acteurs du marché.

La technologie MRAM fait beaucoup parler d’elle depuis longtemps, car elle permet d’offrir d’excellentes performances pour une consommation minime, et surtout un stockage non volatile. Samsung lance sa production en 28 nm avec des ambitions qui pourraient changer la donne.

Une petite révolution pour les appareils mobiles ?

Image 1 : Samsung lance sa production massive de MRAM gravée en 28 nm

Par rapport à la mémoire eFlash de Samsung, cette eMRAM consomme 400 fois moins d’énergie en écriture, tout en étant 1000 fois plus rapide, le tout avec une meilleure endurance. Le procédé de Samsung permet de produire ces puces à moindre coût. Elle pourraient même remplacer la SRAM intégrée dans certaines puces, grâce à une meilleure densité et une consommation inférieure (la SRAM reste légèrement plus performante toutefois, mais volatile). Samsung prévoit de passer bientôt la gravure de sa eMRAM en 18 nm, toujours en FD-SOI, puis l’adapter en FinFET pour miniaturiser encore. Les premières puces de 1 Gbit de MRAM devraient arriver cette année.