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Samsung : le 3 nm MBCFET est prévu pour 2022

Par rapport au 7 nm FinFet actuel, ce procédé offrira des puces 50 % moins énergivores et 30 % plus performantes.

Il y a environ un an, Samsung présentait sa nouvelle génération de transistors MBCFET. L’objectif : des puces gravées en 3 nm consommant 50 % de moins et offrant des performances 30 % supérieures à celles élaborées en 7 nm FinFet actuel. L’entreprise coréenne a l’intention d’atteindre ce résultat dès 2022.

Image 1 : Samsung : le 3 nm MBCFET est prévu pour 2022

Outre les gains mentionnés ci-dessus, le MBCFET permet de réduire d’environ 45 % la surface de la puce. Vous pouvez retrouver les détails dans notre précédente actu, mais dans les grandes lignes, sachez que ce procédé remplace les canaux de type nanowire (nanofil) par des nanosheets (nanofeuilles). En plus de pouvoir être empilés les uns sur les autres, leur largeur est flexible pour une adaptabilité accrue selon les produits.

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Le 3 nm chez TSMC en 2022/2023

Notez que Samsung a aussi lancé la production de masse sur sa première ligne 7 nm EUV en février dernier. Enfin, du côté de TSMC, on envisage la construction d’une usine pour le 3 nm en 2022. La production des premières puces débuterait quant à elle en 2023.

Image 2 : Samsung : le 3 nm MBCFET est prévu pour 2022

Source : Hardwareluxx