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Samsung montre des FinFET en 10 nm

Image 1 : Samsung montre des FinFET en 10 nmUn Exynos de Samsung

Alors que Samsung devrait très prochainement lancer son Galaxy S6 intégrant son Exynos gravé en 14 nm (cf. « Samsung produit déjà son SoC Exynos 7 Octa en 14 nm »), il vient de présenter le premier wafer gravé en 10 nm et utilisant des semiconducteurs 3D (FinFET). C’est avant tout une démonstration pour montrer qu’il devrait pouvoir en produire en masse d’ici la fin 2016 ou le début 2017.

L’activité semiconducteur de Samsung est en pleine croissance

La firme semble donc prendre de l’avance sur TSMC qui devrait produire du 14 nm en masse d’ici la fin de l’année. La question est maintenant de savoir si Apple a décidé de faire appel à ses services et ses nouvelles finesses de gravure. Cela dépendra des volumes que Samsung peut produire et de la relation entre la firme de Cupertino, la firme coréenne et TSMC. Nous devrions en savoir plus lors de la sortie du prochain iPhone.

En attendant, Samsung aurait aussi passé des accords avec LG et Apple pour les fournir en LPDDR4. LG se fournirait exclusivement chez lui, tandis qu’Apple dépendrait de lui pour la moitié de ses besoins en DRAM, ce qui est énorme. Selon le Korea Times qui rapporte la nouvelle, cela devrait plomber les résultats de SK Hynix qui aura moins de commandes.