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Samsung montre son 1er wafer en 10 nm

Image 1 : Samsung montre son 1er wafer en 10 nmLe wafer en 10 nm de SamsungSamsung vient de présenter à la presse son premier wafer en 10 nm et confirme que la production en masse devrait commencer d’ici la fin 2016. Il avait annoncé le wafer en février dernier (cf. « Samsung montre des FinFET en 10 nm »), mais c’est la première fois que nos équipes nord-américaines ont pu le voir en personne. Le wafer utilise des transistors en 3D et il devrait être d’abord utilisé par Apple qui commande déjà 40 000 wafers par mois à Samsung, selon EET Asia. Cette demande est principalement alimentée par les ventes d’iPhone. Pour mémoire, Samsung avait présenté le premier prototype en 10 nm il y a maintenant un peu moins de trois ans (cf. « Samsung présente une mémoire Flash en 10 nm »).

Le 10 nm s’annonce être une finesse de gravure charnière pour l’industrie. Elle devrait propulser Samsung qui fait de plus en plus d’ombre à TSMC (cf. « Samsung fabrique en 14 nm »). Ce dernier devrait commencer à graver en masse en 10 nm un tout petit peu avant le Coréen (cf. « TSMC : le 10nm finalement plus tôt que prévu »). Intel aurait quant à lui des problèmes avec son 10 nm et STMicroelectronics aurait tout simplement décidé d’abandonner la course à la plus grande finesse de gravure (cf. « STMicroelectronics ne gravera pas en 10 nm »).