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Samsung passe aux ultraviolets extrêmes pour sa gravure en 7nm LPP

L’EUV utilisé pour la production en masse dès 2020

Image 1 : Samsung passe aux ultraviolets extrêmes pour sa gravure en 7nm LPP

Samsung annonce être prêt pour la production de puces gravées en 7 nm LPP (Low Power Plus) grâce à des ultraviolets extrêmes (EUV, soit une longueur d’onde de 13,5 nm). Ce nouveau procédé devrait être utilisé pour l’avancée de plusieurs produits et technologies comme la 5G, l’intelligence artificielle, l’automobile ou encore dans les domaines des datacenters et de l’IoT. D’ici 2020, l’entreprise espère être capable de produire en masse des puces en utilisant l’EUV.

Un procédé moins cher et plus performant

Image 2 : Samsung passe aux ultraviolets extrêmes pour sa gravure en 7nm LPP

D’après Samsung, le nouveau 7 nm LPP permet de réduire de 20% le nombre de masques de dies utilisés, comparé aux procédés n’utilisant pas l’EUV. Avec les rayons ultraviolets extrêmes, il est possible de n’utiliser qu’un seul masque pour créer une couche sur le wafer, alors qu’il en faut jusqu’à quatre avec un laser à fluorure d’argon.

L’EUV permet donc de réduire le temps et le coût de production, mais il devrait aussi apporter de meilleures performances et moins de consommation. Comparé au 10 nm FinFET, Samsung dit que le 7 nm LPP améliore de 40% le rendement à surface équivalente, et apporte 20 % de performances en plus ou une réduction de la consommation énergétique allant jusqu’à 50%.