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Samsung passe sous les 20 nm pour graver la mémoire DDR4

Coiffant ses concurrents au poteau, Samsung annonce le premier la production de masse de puces de DDR4 gravées en moins de 20 nm.

Image 1 : Samsung passe sous les 20 nm pour graver la mémoire DDR4

Samsung Electronics vient de franchir un nouveau cap dans la gravure de mémoire DRAM en étant le premier à lancer la production de masse de puces de 8 gigabit de DDR4 en « 10nm-class ». La finesse de gravure exacte n’est pas indiquée, on peut donc raisonnablement supposer qu’elle se situe dans la partie « haute » de la fourchette 10-19 nm. Cela reste tout de même une performance honorable étant donné que le constructeur a gravé en masse ses premières puces de DRAM en « 20nm-class » en 2011, et en 20 nm en 2014 seulement.

Une histoire de quelques nanomètres

Le tour de force de Samsung est d’avoir utilisé un procédé de gravure QPT (« Quadruple Patterning Technology ») sur des équipements existants, basés sur de la photolithographie par immersion à fluorure d’argon, pour atteindre cette finesse de gravure. Le constructeur a également du faire appel à des couches diélectriques extrêmement fines (moins de 10 angström, soit moins de 1 nm) pour isoler les condensateurs, eux mêmes placés au dessus de transistors mesurant une douzaine de nanomètres seulement.

Côté performances, ces nouvelles puces de 8 Gb de mémoire DDR4 offrent une bande passante de 3200 Mbps tout en consommant 10 à 20% de moins que des puces équivalentes gravées en 20 nm. Cette nouvelle finesse de gravure permet enfin d’augmenter de 30% le nombre de puces par wafer, améliorant par la même occasion le rendement.