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Samsung prépare déjà son 4 nm, et les lasers EUV pour son 7 nm

Évolutions plus lentes

Image 1 : Samsung prépare déjà son 4 nm, et les lasers EUV pour son 7 nmSamsung présente sa nouvelle roadmapSamsung vient de présenter la roadmap de sa fonderie et si la firme ne donne pas encore de date précise, elle annonce déjà travailler sur son 4 nm qui sera le premier processus à utiliser un transistor avec une grille circulaire (Gate All Around FET). La technologie succèdera au 5 nm qui s’annonce être, avant tout, une optimisation du 6 nm.

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L’arrivée des EUV

On remarque que contrairement à aujourd’hui, où le passage à une finesse de gravure représente un bond de plusieurs nanomètres, Samsung est obligé de ralentir sa progression. En effet, la firme passera du 10 nm au 8 nm, puis elle gravera en seulement 7 nm, probablement parce qu’elle fera appel à un laser à ultraviolet extrême (EUV) à partir de ce processus.