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Samsung présente sa PRAM

Samsung vient de produire le premier prototype fonctionnel de PRAM (Phase-change Random Access Memory) un nouveau type de mémoire qui devrait remplacer la mémoire Flash NOR dans les dix prochaines années.

Les avantages de la mémoire dynamique et de la mémoire Flash

Samsung a développé une puce PRAM de 512 Mbit en utilisant des diodes verticales avec une structure de transistor tridimensionnelle actuellement employée pour produire de la mémoire dynamique (DRAM). Cette PRAM combine la vitesse de fonctionnement de la mémoire RAM et le caractère non volatil de la mémoire FLASH.
La PRAM étant capable de re-écrire des données sans avoir à effacer les données précédemment accumulées, elle est effectivement trente fois plus rapide que la mémoire Flash conventionnelle, et selon Samsung sa longévité serait au moins dix fois supérieure à celle de la mémoire Flash.

Une disponibilité en 2008

Le procédé de fabrication des cellules PRAM est moins complexe que celui des cellules Flash NOR (20 % d’étapes en moins) et ces cellules sont deux fois plus petites que les celles composant la mémoire Flash. De ce fait, la PRAM est plus économique à produire, affirme le géant coréen. Samsung compte démarrer une production commerciale de PRAM à haute densité (512 Mbit et plus) dans le courant de l’année 2008 et estime qu’elle sera une mémoire de choix pour les futurs téléphones portables multifonctions où la vitesse accrue en écriture et en lecture se traduit par un gain de performances immédiatement visible.