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Samsung produit en masse des puces eUFS 3.1

De 512 à 128 Go, avec des vitesses d’écriture séquentielles et aléatoires en nette hausse.

Samsung annonce le lancement de la production de masse de puces eUFS (Universal Flash Storage) 3.1 de 512, 256 et 128 Go. Celles en 512 Go offrent une vitesse d’écriture trois fois supérieures aux précédentes puces eUFS 3.0 avec la même capacité.

Image 1 : Samsung produit en masse des puces eUFS 3.1

En effet, une puce 512 Go eUFS 3.1 délivre une vitesse d’écriture séquentielle de 1200 Mo/s, contre 410 Mo/s en eUFS 3.0. La lecture séquentielle reste à 2100 Mo/s.

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100 000 IOPS en lecture aléatoire

La vitesse de lecture aléatoire subi aussi une belle augmentation (60 %), avec 100 000 IOPS contre 63 000 IPS pour l’eUFS 3.0. Le gain est plus marginal pour l’écriture aléatoire, désormais à 70 000 IOPS au lieu de 68 000 IOPS.

Selon Samsung, une puce 512 Go eUFS 3.1 est deux fois plus rapide qu’un disque SATA (540 Mo/s) et dix fois plus rapide qu’une carte microSD UHS-I (90 Mo/s). Ces produits intégreront les smartphones dans les prochains mois.

Image 2 : Samsung produit en masse des puces eUFS 3.1