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Samsung produit en masse la V-NAND TLC pour ses SSD 850 EVO

Image 1 : Samsung produit en masse la V-NAND TLC pour ses SSD 850 EVO

Samsung fait toujours la course en tête dans la production de mémoire Flash et a pris un net avantage sur ses concurrents en mettant sur le marché des SSD utilisant de la mémoire Flash 3D, la Vertical NAND ou V-NAND pour les plus pressés. Grâce à elle, le SSD 850 Pro du constructeur cumule à la fois performance et longévité. Mais ce modèle utilise de la mémoire MLC. Pour vraiment faire baisser les coûts et augmenter les capacités, Samsung doit recourir à de la TLC, à 3 bits par cellule. Et justement, le coréen vient d’annoncer le lancement de la production de V-NAND TLC.

Cette TLC est très importante pour Samsung. Selon le fondeur, par rapport à de la mémoire TLC classique, 2D, gravée en 19 nm, la V NAND TLC permet de doubler la capacité par wafer – et donc de diminuer le coût par deux, ou presque. Chaque puce possède une capacité maximum de 128 Gbits (16 Go), alors que la V-NAND MLC se limitait à 86 Gbits par puce. La technologie employée pour cette TLC est la même que pour la MLC 3D des 850 Pro et recours à un empilement de 32 couches de matériaux afin de créer les cellules de mémoire.

On peut s’attendre à retrouver cette mémoire dans de futurs SSD 850 EVO, aperçus au salon IFA de Berlin début septembre. Leur date de commercialisation n’est pas connue.