Z-NAND de SamsungSamsung vient de publier un document donnant de plus amples informations sur les performances de sa Z-NAND, sa mémoire lancée l’été dernier et qui est censée concurrencer la 3D XPoint d’Intel et Micron. Il s’agit simplement d’une NAND SLC avec un contrôleur optimisé afin de grandement accroître les performances. Elle a le grand avantage d’être plus facile à fabriquer, mais tout n’est pas rose.
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Concurrence acharnée
En effet, la Z-NAND a des atouts certains. Ses débits en lecture et écriture séquentielles sont nettement plus importants puisqu’ils atteignent 3,2 Go/s pour une capacité similaire de 800 Go. En revanche, la mémoire coréenne a des débits en écriture aléatoire nettement inférieurs et une latence assez élevée, même si c’est nettement mieux que sur les SSD classiques à plus de 100 µs. La Z-NAND pourrait donc être une solution nettement plus abordable pour accélérer certaines bases de données.
| Modèle | Mémoire | Capacité | Lecture/Écriture aléatoire | Lecture/Écriture séquentielle | Endurance | Latence (lecture/écriture) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Optane P4800X | 3D XPoint | 750 Go | 550 000 IOPS | 2,4 / 2 Go/s | 41 Po | 10 µs |
| SZ985 | NAND | 800 Go | 750 000 / 170 000 IOPS | 3,2 Go/s | 42,7 Po | 12–16 / 20 µs |
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