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SanDisk sort des iNAND en 15 nm

Image 1 : SanDisk sort des iNAND en 15 nmLa puce de SanDiskSanDisk vient de présenter sa mémoire iNAND 7232 pour terminaux mobiles au Mobile World Congress chinois qui se tient actuellement à Shanghai. C’est la version pour systèmes embarqués de l’iNAND 7132. Elle est gravée en 15 nm et utilise 3 bits par cellule. Elle est déclinée en versions allant de 32 Go à 128 Go, ce qui est deux fois plus que le modèle précédent. Elle est compatible eMMC 5.1+ HS400, ce qui signifie qu’elle dispose de fonctionnalités telles que le Command Queuing. Le standard se pose comme concurrent direct de l’UFS (cf. « SK Hynix sort ses puces mémoires UFS pour smartphones »). Par contre, les débits devraient être inférieurs. SanDisk n’a pas donné le nombre d’opérations par seconde en lecture et écriture aléatoire, mais il parle de débits qui devraient tourner autour de 150 Mo/s.

Pour améliorer la durée de vie des cellules, SanDisk utilise la technologie SmartSLC qui écrit d’abord les données sur les premiers niveaux de la mémoire, la traitant ainsi comme une mémoire SLC. Lorsque cette région est pleine ou usée, elle passe aux niveaux supérieurs. Le problème est que ce n’est qu’une solution temporaire à la portée limitée et que la puce de SanDisk utilise une structure en 2D, ce qui signifie que les deuxièmes et troisièmes bits sont moins performants et ont une durée de vie moins importante. Comme l’ont montré nos tests (cf. « Samsung 850 Pro : le SSD muni de NAND 3D »), le salut passera par les V-NAND ou NAND 3D qui dépassent ces limitations.