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SK Hynix : 20 nm, 3D NAND 36 et 48 couches

Image 1 : SK Hynix : 20 nm,  3D NAND 36 et 48 couchesSK Hynix vient d’annoncer le passage à la gravure 20 nm pour les puces de mémoire vive. Le fondeur a annoncé avoir eu quelques difficultés pour passer au 20 nm mais que tout est maintenant rentré en ordre. La production de masse a donc pu débuter. SK Hynix arrive un peu tard dans la course, puisque Samsung produit des puces de DDR3 en 20 nm depuis le mois de mars dernier. Micron produit quant à lui des puces de GDDR5 en 20 nm et devrait utiliser cette finesse pour les puces de DDR3 et DDR4 en fin d’année.

Interrogé sur le marché de la mémoire vive, un cadre de SK Hynix a partagé ses craintes. Selon lui, le marché du PC ne sera pas très bon à l’avenir alors que le marché du mobile sera un peu plus porteur pour les fabricants de mémoire vive. En moins de deux semaines, le prix de la DDR4 a dégringolé de 4,6% contre 2% pour la DDR3. Une situation qui devrait donc encore perdurer.

3D NAND à 36 et 48 couches

Dans le domaine de la mémoire flash, SK Hynix a annoncé travailler sur la 3D NAND dotée de 36 et 48 couches. La première est prévue pour arriver d’ici la fin de l’année alors qu’il faudra attendre 2016 pour la seconde. Encore une fois, SK Hynix n’est pas le premier puisqu’on peut citer Samsung qui a débuté la production de V-NAND 48 couches en août dernier et Toshiba et SanDisk qui se sont allié sur de la mémoire flash TLC 3D NAND 48 couches pour l’année prochaine.