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SK Hynix lance sa nouvelle mémoire flash NAND 4D à 96 couches

Des puces plus petites, des wafers plus rentables

Image 1 : SK Hynix lance sa nouvelle mémoire flash NAND 4D à 96 couches

SK Hynix annonce avoir terminé ses premières puces de 512 gigabits de NAND 4D TLC à 96 couches. Comme expliqué pendant le Flash Memory Summit, cette nouvelle mémoire NAND utilise des couches CTF (Charge Trap Flash) empilées verticalement. Grâce à cette technologie, SK Hynix dit avoir réduit de 30 % la taille des puces et augmenté de 49 % la rentabilité par wafer. Le fondeur promet également de meilleures performances.

Image 2 : SK Hynix lance sa nouvelle mémoire flash NAND 4D à 96 couches

30 % plus de performances d’écriture

Comparé à ses puces de 512 gigabits de NAND 3D à 72 couches, SK Hynix affirme que sa nouvelle NAND 4D propose des performances augmentées de 30 % pour l’écriture et de 25 % pour la lecture. La nouvelle architecture de transistor 3D permet d’atteindre une vitesse de transfert de données I/O de 1200 Mbit/s, le tout n’opérant qu’à 1,2 Volt.

Au cours de cette année, le fondeur annonce commencer la production en masse de sa nouvelle NAND 4D et lancer de nouveaux SSD grand public de 1 To (avec un contrôleur maison), ainsi que de nouvelles puces pour le marché mobile et l’UFS 3.0. D’ici la deuxième moitié de l’année 2019, SK Hynix compte s’attaquer aux SSD pour entreprises. Enfin, courant 2019, l’entreprise devrait également lancer de nouvelles puces de 1 Terabit à 96 couches de NAND TLC et QLC.