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SK Hynix présente sa mémoire HBM2E, plus rapide que celle de Samsung

3,6 Gbit/s par broche contre 3,2 Gbit/s.

Image 1 : SK Hynix présente sa mémoire HBM2E, plus rapide que celle de Samsung

SK Hynix indique avoir développé de la mémoire HBM2E avec la bande passante la plus élevée de l’industrie. Concrètement, la bande passante par broche atteint désormais 3,6 Gbit/s. C’est en effet mieux que la Flashbolt HBM2E présentée par Samsung en mars dernier, qui monte à 3,2 Gbit/s.

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Production de masse en 2020

Ainsi, la bande passante totale cumine à 460 Go/s, contre 410 Go/s chez Samsung. Pour le reste, les spécifications sont identiques : huit puces par stack et une capacité maximale par matrice de 16 Go. SK Hynix a utilisé la traditionnelle technologie TSV (Through Silicon Via) pour permettre la communication verticale entre les die. La firme précise que la production de masse débutera en 2020.

MémoireHBM2E SK HynixFlashbolt (HBM2E) Samsung
Capacité max.16 Go16 Go
Bande passante par broche3,6 Gbit/s3,2 Gbit/s
Nombre de dies par stack88
Tension??
Bande passante460 Go/s410 Go/s