SK Hynix indique avoir développé de la mémoire HBM2E avec la bande passante la plus élevée de l’industrie. Concrètement, la bande passante par broche atteint désormais 3,6 Gbit/s. C’est en effet mieux que la Flashbolt HBM2E présentée par Samsung en mars dernier, qui monte à 3,2 Gbit/s.
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Production de masse en 2020
Ainsi, la bande passante totale cumine à 460 Go/s, contre 410 Go/s chez Samsung. Pour le reste, les spécifications sont identiques : huit puces par stack et une capacité maximale par matrice de 16 Go. SK Hynix a utilisé la traditionnelle technologie TSV (Through Silicon Via) pour permettre la communication verticale entre les die. La firme précise que la production de masse débutera en 2020.
| Mémoire | HBM2E SK Hynix | Flashbolt (HBM2E) Samsung |
| Capacité max. | 16 Go | 16 Go |
| Bande passante par broche | 3,6 Gbit/s | 3,2 Gbit/s |
| Nombre de dies par stack | 8 | 8 |
| Tension | ? | ? |
| Bande passante | 460 Go/s | 410 Go/s |
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