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SK Hynix produit de la DRAM en 20 nm

Image 1 : SK Hynix produit de la DRAM en 20 nmDes puces de DRAM

SK Hynix commencera la fabrication en masse de DRAM en 20 nm d’ici le second semestre de cette année, selon l’agence de presse coréenne Yonhap qui cite le P.D.G de la société. Il rattrape donc son retard sur Samsung (cf. « Les modules de 4 Gb de DDR3 atteignent le 20 nm ») qui parle déjà de mémoires en 10 nm. SK Hynix a dépensé 2,1 milliards d’euros sur les nouvelles lignes de production qui seront utilisées pour cette nouvelle finesse de gravure et elle devrait investir 4,3 milliards de dollars cette année en préparation de sa roadmap.

La firme a d’ailleurs fait la démonstration d’une mémoire HBM de deuxième génération en affirmant qu’elle arrivera sur le marché l’année prochaine (cf. « La HBM d’AMD est en passe de remplacer la GDDR5 »). Pour rappel, cette mémoire empile quatre à huit dies de 8 Go, ce qui offre une bande passante de 2 Gbits/s à 2 GHz. La HBM devrait faire son apparition sur les Radeon R9 390X.