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Snapdragon 830 : 8 coeurs Kryo, gravés en 10nm par Samsung

Si aucune nouvelle architecture ne devrait sortir chez Qualcomm cette année, le constructeur se contentant uniquement de légères retouches « cosmétiques », 2017 devrait en revanche être l’année du renouveau avec l’arrivée du Snapdragon 830.

Image 1 : Snapdragon 830 : 8 coeurs Kryo, gravés en 10nm par Samsung

Qualcomm compte beaucoup sur son futur Snapdragon 830 pour s’imposer sur le marché mobile. Après un Snapdragon 810 et ses problèmes de dégagement de chaleur et un Snapdragon 820 aux caractéristiques trop « conservatrices », en passant par un Snapdragon 821 un peu plus performant que le 820 mais qui reprend la même architecture, le Snapdragon 830 représente la vraie nouveauté à venir.

Un octo-core gravé en 10 nm par Samsung

Première nouveauté : Qualcomm abandonne totalement TSMC et passe exclusivement chez Samsung pour graver son Snapdragon 830 en 10 nm. Cette meilleure finesse de gravure devrait permettre de réduire la consommation par rapport aux SoC actuellement gravés en 14nm LPP et donc le dégagement de chaleur à fréquence égale. L’autonomie des produits devrait également bénéficier de cette nouvelle finesse de gravure. Notons au passage que MediaTek devrait lui aussi graver son Helio X30 en 10nm, tout comme HiSilicon avec son Kirin 970.

Le Snapdragon 830 devrait en outre supporter jusqu’à 8 Go de mémoire et embarquer huit cœurs Kryo. Les dernières rumeurs parlent même d’un nouveau cœur Kryo II, avec 1,6 fois plus de transistors et des performances 1,7 fois supérieures, malgré une fréquence de fonctionnement probablement revue à la baisse (on parle de 1,7 GHz, contre 2,2 ou 2,3 GHz pour les meilleurs cœurs Kryo). Des informations à prendre bien entendu avec les pincettes de rigueur…