Accueil » Actualité » Snapdragon 845 : huit coeurs Cortex gravés en 10 nm dans le Galaxy S9 ?

Snapdragon 845 : huit coeurs Cortex gravés en 10 nm dans le Galaxy S9 ?

Le SoC du prochain Galaxy S9 de Samsung ?

Image 1 : Snapdragon 845 : huit coeurs Cortex gravés en 10 nm dans le Galaxy S9 ?La fuite parue sur WeiboUne fuite parue sur le site chinois Weibo, mais depuis retirée, annonçait la présentation officielle des Snapdragon 845 durant le Snapdragon Technology Summit qui se tiendra à Hawaii entre le 4 et 8 décembre 2017. La puce intègrerait quatre coeurs Cortex-A75, quatre coeurs Cortex-A53, et un IGP Adreno 630. Si l’information est correcte, Qualcomm aurait décidé d’abandonner ses coeurs personnalisés Kryo au profit d’une architecture Cortex plus classique, ce qui serait assez surprenant.

À lire aussi :
Comparatif : les smartphones les plus puissants du moment

Toujours en 10 nm

Le SoC serait gravé en 10 nm et il intègrerait un module Wi-Fi ad et un modem 4G X20 pouvant atteindre un débit théorique descendant de 1,2 Gbit/s. Qualcomm aurait aussi installé quatre dies de LPDDR4X, mais la quantité exacte de mémoire est encore inconnue. Les premiers terminaux devraient être annoncés durant le premier trimestre 2018, laissant penser à une annonce autour du MWC.